1、可控硅调压电路,如图所示.求解..
C、R、C、R充好电后释放是释放到可控硅的控制极，电容的控制作用体现在影响积分时间，到一定电压（双向二极管的触发电压）触发可控硅控制极，影响了它的开启时间，从而影响电压有效值，调节灯泡发光。 dtg）的确是双向触发二极管，管子是没错，原理图错了，这个不影响实物图，你那个ck，晶闸管要加阻容电路保护，否则容易烧坏。负载必须是感性负载（电机，马达之类的）或者是阻性负载（加热丝，白炽灯之类的），不能是容性负载（适配器，dcdc，节能灯），此电路并不是调压电路，它和变压器降压不是一回事，两者不能等效，它是调功电路（通过把正弦波的一部分波形截止，使负载功率下降），从而使电压有效值减少，降压只是一个效果，不是本质，它的本质是降低功率。这个电路调压（等效电压）最低一般不能低于v，说可以是v那是不现实的，只是理论能行。另外，这个电路产生噪音比较大，有很多高频谐波，对外部设备影响大，所以在大功率调压，不建议使用。
2、可控硅调压电路，求原理讲解。如图
~的交流电压经过桥式整流以后变成Hz的直流电（注意：电路中没有滤波！整流输出的是脉动直流，波形是正弦正半周的半波）。 BTRp和C构成锯齿波张弛振荡电路。振荡频率一般几百Hz，BP用来调整振荡频率（实际上是调整C的充电时间），也是第一个锯齿波尖峰与零点的时间差，也就是移相角（控制角）。因此，在一个半波内有多个锯齿，锯齿波的包络线就是半波波形。 当交流电压过零瞬间，整流后的直流电压也为零，晶闸管3CT被迫关断。张弛振荡器停振，因此，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。 可控硅调压原理 ）整流电路采用桥式整流,将）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。（）冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。 只二极管组成,d,d到d,可变电阻w管的e迅速的放电,结果在r点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时c又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。,d于b,?）晶闸管选用正向与反向电压大于ct。（型的合成炭膜电位器。（瓦的金属膜电阻。（,r瓦的炭膜电阻。伏；（2）具有输出电压可调功能。可根据需要调节输出电压；（3）?所设计的电路具有一定的抗干扰功能。
3、可控硅工作原理以及用途
全称是硅可控整流件，晶体阀流管，用于无触点开关电路和可控整流设备中。 分阳极A,阴极C，控制极G。工作原理就是只加正向电压，不加控制极电压，不导通。同时加正向和控制电压导通，导通后失去控制作用。是一种可控的单向导电开关，长用于以弱电控制强电的各个电路。 比方防盗报警器，多路抢答器都可以使用。 双向可控硅可以用于交流调压以及交流电路的可控触点开关，也可以做触发电路中使用。
4、稳压器的原理图是什么?
中找的，不知道是不是你要的图。 网上,多多的电路图啊，由于不知道你具体指那些， 主要,就是“涡流”（电磁感应）的原理。 加上一些“功率控制”、“温度控制”等电路而已。
5、可控硅原理的可控硅原理-工作过程
晶闸b管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路 双向晶闸管的结构与符见图、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T极相对于T是阴极。反之，当G极和T变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性见图3，由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。 从晶闸管的内部分析工作过程： 晶闸管是四层三端器件，它有J三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二. 当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic=Ic/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和： Ia=Ic 或Ia=a 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=IaIg 从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic（a—1） 硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。 当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（,(a 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a,产生更大的极电极电流Ic和a）≈）中的分母）≈0,，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。 式（（a,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。 在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a（a时，晶闸管恢复阻断状态。 鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据pn结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。 阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个pn结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。 控制极与阴极之间是一个pn结，因此它的正向电阻大约在几欧几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在r*或r*极，剩下则为控制极（g）。 、t或r×挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为g极，黑笔所接为t、性能的差别：将旋钮拨至r×a单向可控硅，红笔接k极，黑笔同时接通g、a极，在保持黑笔不脱离a极状态下断开g极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开a极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于极，黑笔同时接g、t极时断开g极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关k，灯应发亮，断开k灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关k，灯应发亮，断开k，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.
6、可控硅的工作原理
简述之：硅的正极加正向直流电压时触发极也加正向电压(几伏或十多伏)，硅导通，撤除触发电压桂的通导仍保持；若是正弦交流电压，不能撤除触压，硅通过的是正半周即脉冲直流电压。可控硅供负载的电压调节需通过触发电压相对硅的正极电压的相位来实现。 双向可控硅的工作原理:可控硅是pn2四层三端结构件，共有三个pn结，分析原理时，可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成
7、BTA16：可控硅是怎样控制220v电压的？
双向可控硅的控制极g不管电压的正负，只要符合触发电流的要，t t2的极性，可控硅就会进入截止状态。看你所述没
